GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术  

作　　者：孙元平[1] 付羿[1] 渠波[1] 王玉田[1] 冯志宏[1] 赵德刚[1] 郑新和[1] 段俐宏[1] 李秉臣[1] 张书明[1] 杨辉[1] 姜晓明[2] 郑文莉[2] 贾全杰[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京100083 [2]中国科学院高能物理研究所同步辐射研究室X射线漫散射实验站,北京100039

出　　处：《中国科学（E辑）》2002年第5期584-589,共6页Science in China(Series E)

基　　金：国家"八六三"计划基金;国家杰出青年基金;国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目

摘　　要：利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.

关 键 词：GAN 晶片键合技术 立方相 衬底去除 砷化镓 氮化镓 半导体 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]