GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较  

Comparative Study on Photoasissted Wet Etching Behavior of GaN/GaAs(001) and GaN/Al_2O_3(0001)Epilayers

作　　者：沈晓明[1] 张秀兰[2] 孙元平[1] 赵德刚[1] 冯淦[1] 张宝顺[1] 张泽洪[1] 冯志宏[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第8期881-885,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N-HKU0 2 8/0 0 )资助项目~~

摘　　要：研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .Photoassisted wet chemical etching of cubic GaN (c-GaN) on GaAs(001) epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is investigated.Compared with the etching of hexagonal GaN (h-GaN) grown on Al_2O_3(0001),it is found that the photoassisted wet etching behavior of c-GaN grown on GaAs is different from that of h-GaN on sapphire.The possible reason causing the difference is discussed.

关 键 词：MOVPE 光辅助湿法 金属有机物气相外延 立方相 六方相 氮化镓 腐蚀工艺 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]