热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响  

Effects of thermally annealing on deep-levels of low temperature MBE GaAs

作　　者：张砚华[1] 范缇文[1] 陈延杰[1] 吴巨[1] 陈诺夫[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京100083

出　　处：《功能材料与器件学报》2000年第4期369-371,共3页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 ILT3 =C由退火前的C >>1到退火后C <<1 ,退火温度越高 ,C值越小 ,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降 ,反之 ,与镓空位VGa 相关的LT3能级浓度上升。另外经 80 0℃ ,1 0min热退火后 ,在LT2 峰处出现了负瞬态 ,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸 。The effects of thermally annealing on deep levels of low temperature MBE GaAs have been investigated by Optical Transient Current Spectrum (OTCS). There were three main deep level peaks LT 1, LT 2, LT 3 in the as-grown and annealed LT GaAs. The relative intensity of those peaks will change hugely after annealing. Gather and precipitation of arsenic by thermally annealing will decrease arsenic anti site defects As Ga and arsenic interstitial atom concentration that relative to LT 1 . In opposite, the LT 3 that relative to vacancy V Ga will increase.

关 键 词：热退火 深能级中心 砷化镓 低温分子束外延 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]