INXGA1-XAS

作品数：8被引量：12H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：吕玉增张永刚顾溢王凯胡锐更多>>
相关机构：吉林大学南京大学中国科学院中国科学技术大学更多>>
相关期刊：《Chinese Physics Letters》《红外与激光工程》《物理学报》《海南师范大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究被引量：1
《功能材料》2018年第8期8178-8182,共5页刘雪飞 罗子江 周勋 王继红 魏杰敏 王一 郭祥 郎啟智 刘万松 丁召 
国家自然科学基金资助项目(11664005;61564002);贵州师范大学创新创业教育研究中心基金资助项目(0418010);贵州师范大学联合基金资助项目(黔科合LH字[2017]7341号);教改资助项目(2016JG3)
对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例。论文还对其中4种情况的态密...
关键词：INXGA1-XAS 替位式掺杂 能带结构 对称性 
新型微光成像器件及应用被引量：1
《红外技术》2015年第8期701-706,共6页刘智超 樊桂花 郭惠超 范有臣 
国家863计划;编号:2014AA7031024H
采用全固态微光成像器件是未来微光成像的发展趋势。介绍了2种全固态微光器件EMCCD、InxGa1-xAs,分析了其成像性能,描述了其研究现状,对比了传统的真空光电成像与全固态微光成像性能指标,阐明了微光成像器件向着高灵敏度、低噪声、宽光...
关键词：微光成像 全固态微光成像器件 EMCCD INXGA1-XAS 
In_xGa_(1-x)As高性能全固态数字化微光器件被引量：3
《红外与激光工程》2013年第12期3367-3372,共6页史衍丽 吕玉增 赵鲁生 张卫锋 胡锐 
国家自然基金重点项目(U1037602)
作为全固态微光器件,In x Ga1-x As器件通过调节材料组分x值,其响应波段覆盖夜天光辐射的主要波段,对夜天光的能量利用率高。加之材料量子效率高,器件性能好,可望显著提高夜视系统作战距离;另外,采用半导体常规工艺制作,可完成大面阵、...
关键词：INXGA1-XAS 微光器件 全固态 数字化 真空微光器件 
应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响被引量：1
《大理学院学报（综合版）》2012年第4期32-34,共3页姚丽 
大理学院科研基金项目(KYQN2010-07)
从理论上计算生长在GaAs衬底上的InxGa1-xAs合金材料的带隙变化,分析应变对其能带结构的影响。结果表明,InxGa1-xAs所受应变与In组分近似为线性关系;在应变的影响下材料带隙变大,价带能级产生分裂。利用合金组分的变化与InGaAs带隙的变...
关键词：INXGA1-XAS 能带结构 晶格常数 应变 
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究被引量：2
《物理学报》2011年第3期421-426,共6页叶显 黄辉 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327600);“111”计划项目(批准号:B07005);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405,2009AA03Z417);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:BUPT2009RC0409,BUPT2009RC0410)资助的课题~~
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长...
关键词：纳米线异质结构 INXGA1-XAS 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法 
拉曼散射和X射线衍射研究In_xGa_(1-x)As材料
《海南师范大学学报（自然科学版）》2010年第4期379-382,共4页张铁民 缪国庆 傅军 符运良 王林茂 洪丽 
海南省教育厅高等学校科研基金项目(Hjkj2010-21);国家自然科学基金重点项目(50132020);海南省自然科学基金项目(609002);海南师范大学学科建设基金项目(0020303020317)
使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,X射线衍射可以获...
关键词：INXGA1-XAS 拉曼散射 X射线衍射 
异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善被引量：3
《红外与毫米波学报》2009年第6期405-409,共5页王凯 张永刚 顾溢 李成 李好斯白音 李耀耀 
973项目(2006CB604903);国家自然科学基金项目(60876034)资助
采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶...
关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 INXGA1-XAS 位错 
Optimum Indium Concentration for Growth of 1.3 μm InAs/InxGa1-xAs Quantum Dots in a Well被引量：1
《Chinese Physics Letters》2007年第11期3260-3263,共4页王茺 刘昭麟 陈雪梅 夏长生 张曙 杨宇 陆卫 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60567001, and the Cultivated Foundation for the ＇Academic Cadreman of Yunnan University＇
Five InAs/InxGa1-xAs quantum dots in a well （DWELL） with different indium concentration x are grown by solid source molecular beam epitaxy. The high quantum dot density is observed in the InAs/In0.3Ga0.7As DWELL. Th...
关键词：coated conductor buffer layer self-epitaxy CeO2 
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