叶显

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：北京邮电大学更多>>
发文主题：晶格失配金属纳米颗粒纳米线衬底材料晶体质量更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究被引量：2
《物理学报》2011年第3期421-426,共6页叶显 黄辉 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327600);“111”计划项目(批准号:B07005);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405,2009AA03Z417);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:BUPT2009RC0409,BUPT2009RC0410)资助的课题~~
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长...
关键词：纳米线异质结构 INXGA1-XAS 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法 
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