方祥

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：光电探测器缓冲层INGAAS分子束外延量子阱激光器更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》更多>>
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InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
《红外与毫米波学报》2014年第3期213-217,共5页曹远迎 顾溢 张永刚 李耀耀 方祥 李爱珍 周立 李好斯白音 
Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619200);National Natural Science Foundation of China(61275113and 61204133)
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量...
关键词：数字合金 量子阱 分子束外延 
组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
《红外与毫米波学报》2013年第6期481-485,490,共6页方祥 顾溢 张永刚 周立 王凯 李好斯白音 刘克辉 曹远迎 
National Basic Research Program of China(2012CB619202);the Founding of CAS Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors;Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,CAS
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面...
关键词：INALAS 缓冲层 X射线衍射 光致发光 
InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
《红外与毫米波学报》2012年第5期385-388,398,共5页王凯 顾溢 方祥 周立 李成 李好斯白音 张永刚 
Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619202);Founding of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Chinese Academy of Sciences and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A...
关键词：化合物半导体 分子束外延 InAlGaAs X射线衍射 光致发光 
采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3
《红外与毫米波学报》2011年第6期481-485,共5页顾溢 王凯 李成 方祥 曹远迎 张永刚 
Natural Science Foundation of Shanghai(10ZR1436300);Innovative Foundation of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology;Foundation of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors CAS
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs...
关键词：光电探测器 高In组分 缓冲层 INGAAS INALAS 
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