上海微系统所研制出2.7微米InP基不含锑量子阱激光器  

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所

出　　处：《人工晶体学报》2013年第7期1256-1256,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：2～3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具有重要的应用。InP衬底上不含锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有工艺成熟稳定、热导率高、衬底价格低、质量好、易获得等优点。

关 键 词：量子阱激光器 含锑 INP基 微系统 INP衬底 微米 上海 半导体激光器 

分 类 号：TQ314.248[化学工程—高聚物工业]