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GAINAS: 作品数：28被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘如彬向贤碧廖显伯王海啸郑新和更多>>; 相关机构：中国科学院中国电子科技集团公司第十八研究所天津蓝天太阳科技有限公司北京工业大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《电源技术》《Chinese Physics B》《北京工业大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金苏州市国际科技合作项目国家重点基础研究发展计划更多>>

温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响: 《北京工业大学学报》2024年第10期1179-1187,共9页崔敏于添景李倩影邓金祥高红丽; 国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079)。; 基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如...; 关键词：GeSn GAINAS 多结太阳电池温度光伏温度特性

InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究: 《电源技术》2024年第7期1375-1379,共5页张恒刘如彬张启明孙强; 基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,...; 关键词：INP GAINASP GAINAS 太阳电池 MOCVD

基于GaInAs/AlInAs中红外量子级联激光器的自洽电子子带能级结构研究: 《红外》2023年第1期23-31,共9页周明艳徐文肖宜明肖欢李龙龙 Francois M.Peeters 李浩文陈思凡; 深圳市科技计划项目(KQTD20190929173954826);国家自然科学基金项目(U1930116,U206720039,12004331)。; 中红外(Mid-infrared,MIR)量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)已被广泛应用于定向红外对抗、自由空间光通信、痕量气体传感等重要领域。利用Nextnano++软件进一步完善了自洽计算基于MIR QCL器件的薛定谔方程和泊松方程的理论方...; 关键词：量子级联激光器中红外 GaInAs/AlInAs

Degradation behavior of electrical properties of GaInAs(1.0 eV)and GaInAs(0.7 eV)sub-cells of IMM4J solar cells under 1-MeV electron irradiation被引量：2: 《Chinese Physics B》2017年第8期569-576,共8页张延清霍明学吴宜勇孙承月赵慧杰耿洪滨王帅刘如彬孙强; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.11475049); In this work the degradation effects of the Ga_（0.7）In_（0.3）As（1.0 eV） and Ga_（0.42）In_（0.58）As（0.7 eV） sub-cells for IMM4J solar cells are investigated after 1-MeV electron irradiation by using spectral r...; 关键词：IMM4J Ga0.7In0.3As （1.0 eV） Gao.42In0.58As （0.7 eV） electrical properties

砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)被引量：1: 《太阳能》2016年第2期12-13,共2页向贤碧廖显伯; 2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓应用 GAINAS 太阳能系统电池效率

Designing of 1 eV GaNAs/GaInAs superlattice subcell in current-matched four-junction solar cell被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2016年第1期51-55,共5页王海啸郑新和甘兴源王乃明杨辉; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61274134);the International Cooperation Program of Suzhou;China(No.SH201215); A reasonably-thick GaNAs/GalnAs superlattice could be an option as a roughly 1 eV subcell to achieve high-effiCiency multi-junction solar cells on a lattice-matched Ge substrate. A detailed consideration of a high- ef...; 关键词：SUPERLATTICE theoretical designing solar cell current match

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7): 《太阳能》2015年第12期18-18,55,共2页向贤碧廖显伯; 2014年，天津三安光电公司报道，他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP／GaInAs／Ge高倍聚光电池，并进行了规模生产，聚光电池效率达到40％～41％。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站，在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池砷化镓应用 GAINAS 光伏电站 GAINP 晶格应变

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)被引量：2: 《太阳能》2015年第9期18-18,共1页向贤碧廖显伯; 进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料，如GaInP、GaInAs和Ge，; 关键词：太阳电池化合物半导体 Ⅲ-V族砷化镓应用叠层电池 GAINAS 半导体材料

超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：3: 《电源技术》2014年第6期1069-1070,1142,共3页高伟张宝薛超高鹏王保民; 通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。; 关键词：MOCVD技术器件工艺 GAINP GAINAS Ge太阳电池

1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计被引量：4: 《物理学报》2013年第21期499-503,共5页王海啸郑新和吴渊渊甘兴源王乃明杨辉; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(批准号:SH201215)资助的课题~~; 使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸...; 关键词：GaInAs/GaNAs超晶格 KRONIG-PENNEY模型太阳能电池

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