邓金祥

作品数：64被引量：113H指数：5
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发文主题：立方氮化硼薄膜氮化硼薄膜立方氮化硼射频溅射射频磁控溅射更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
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温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响
《北京工业大学学报》2024年第10期1179-1187,共9页崔敏 于添景 李倩影 邓金祥 高红丽 
国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079)。
基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如...
关键词：GeSn GAINAS 多结太阳电池 温度 光伏 温度特性 
GeSn光电薄膜及其研究进展
《半导体技术》2023年第9期729-740,共12页李倩影 崔敏 于添景 邓金祥 高红丽 原安娟 
国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079)。
GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展...
关键词：GeSn 基本物性 光电器件 光伏电池 热光伏电池 
退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响被引量：5
《物理学报》2023年第2期347-356,共10页落巨鑫 高红丽 邓金祥 任家辉 张庆 李瑞东 孟雪 
北京市科技新星计划(批准号:Z211100002121079);北京市自然科学基金(批准号:4192016,4102014)资助的课题.
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易...
关键词：氧化镓 射频磁控溅射 后退火温度 日盲探测器 
PbI_(2)对钙钛矿薄膜及太阳电池性能的影响
《微纳电子技术》2022年第8期742-750,共9页张欣 李艳敏 吴瑞 段苹 孔乐 赵金良 邓金祥 孟军华 
国家自然科学基金资助项目(61904174)。
碘化铅(PbI_(2))是两步法制备钙钛矿薄膜最常使用的金属卤化物前驱体,精确控制PbI_(2)在钙钛矿薄膜中的含量和空间分布以及优化PbI_(2)薄膜的形貌结构对于制备高效稳定的太阳电池具有重要意义。探索了PbI_(2)的浓度和退火方式对钙钛矿...
关键词：太阳电池 钙钛矿薄膜 碘化铅(PbI_(2)) 光电转换效率(PCE) 热退火 
β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究
《真空》2022年第1期33-39,共7页张杰 邓金祥 徐智洋 孔乐 段苹 王晓蕾 孟军华 李瑞东 张晓霞 孙旭鹏 杨子淑 
北京市自然科学基金(No.4192016)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结,探究...
关键词：氧化镓 硅纳米线阵列 异质结 光学性质 电学性质 
不同浓度的Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备及研究被引量：1
《真空》2021年第5期57-61,共5页张晓霞 邓金祥 孔乐 李瑞东 杨子淑 张杰 
北京市自然科学基金(No.4192016)资助。
本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯β-Ga_(2)O_(3)和不同浓度的Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜...
关键词：射频磁控溅射 Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜 带隙宽度 结构 
不同浓度的Mg掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备与研究被引量：1
《真空》2021年第3期30-34,共5页杨子淑 段苹 邓金祥 张晓霞 张杰 杨倩倩 
北京市自然科学基金(No.4192016)资助。
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga_(2)O_(3)薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂茁-Ga_(2)O_(3)薄膜没有出现...
关键词：射频磁控溅射 Mg掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜 带隙宽度 P型掺杂 
稀土铽铕掺杂Ba_(3)Yb(PO_(4))_(3)发光材料的研究被引量：1
《沧州师范学院学报》2021年第1期36-41,共6页李婷婷 王吉有 刘悦 邓金祥 
北京市自然科学基金“氧化镓薄膜的Nb掺杂及其光电子特性研究”,编号:4192016.
采用高温固相法制备了磷酸盐荧光粉Ba3Yb_(1-x-y)(PO_(4))_(3):x Tb^(3+),y Eu^(3+),利用X射线衍射对样品结构进行了分析,研究了荧光粉的发射光谱、激发光谱和发光强度时间衰减曲线,证明Tb^(3+)和Eu^(3+)之间存在能量传递.利用378 nm的...
关键词：磷酸盐 稀土发光 X射线衍射 白光发光二极管 
不同Si含量掺杂的ZTO薄膜的制备与研究
《真空》2020年第6期23-26,共4页戴永喜 杨倩倩 邓金祥 孔乐 刘红梅 杨凯华 王吉有 
北京市自然科学基金资助(NO.4192016)。
本文采用磁控溅射法制备Si元素掺杂的ZnSnO薄膜(SZTO),研究Si元素掺杂对薄膜样品性能的影响。XRD衍射图谱表明,不同Si掺杂含量的薄膜均呈现非晶态。利用原子力显微镜表征薄膜的表面形貌,随着Si含量的增加,薄膜样品的表面粗糙度呈现出单...
关键词：射频磁控溅射 Si掺杂 ZnSnO薄膜 光学禁带宽度 
衬底温度对Rubrene:MoO3混合薄膜性质的影响被引量：1
《物理实验》2020年第8期20-23,共4页李瑞东 邓金祥 张浩 孙俊杰 张杰 张晓霞 庄需芹 
防灾科技学院教育研究与教学改革项目(No.JY2016B16)。
采用物理气相沉积方法制备了质量比为2∶1的Rubrene∶MoO3混合薄膜,研究了混合薄膜的光学性质和电学性质.结果表明:随着衬底温度的升高,混合薄膜的光学带隙变窄,说明MoO3诱导Rubrene产生中间能级,形成电荷转移复合物.随着衬底温度的升高...
关键词：Rubrene:MoO3混合薄膜 物理气相沉积 衬底温度 光学带隙 Ⅰ-Ⅴ特性 
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