张晓霞

作品数：3被引量：2H指数：1
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发文主题：射频磁控溅射OP型掺杂行车陡坡更多>>
发文领域：理学交通运输工程一般工业技术文化科学更多>>
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β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究
《真空》2022年第1期33-39,共7页张杰 邓金祥 徐智洋 孔乐 段苹 王晓蕾 孟军华 李瑞东 张晓霞 孙旭鹏 杨子淑 
北京市自然科学基金(No.4192016)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结,探究...
关键词：氧化镓 硅纳米线阵列 异质结 光学性质 电学性质 
不同浓度的Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备及研究被引量：1
《真空》2021年第5期57-61,共5页张晓霞 邓金祥 孔乐 李瑞东 杨子淑 张杰 
北京市自然科学基金(No.4192016)资助。
本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯β-Ga_(2)O_(3)和不同浓度的Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜...
关键词：射频磁控溅射 Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜 带隙宽度 结构 
不同浓度的Mg掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备与研究被引量：1
《真空》2021年第3期30-34,共5页杨子淑 段苹 邓金祥 张晓霞 张杰 杨倩倩 
北京市自然科学基金(No.4192016)资助。
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga_(2)O_(3)薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂茁-Ga_(2)O_(3)薄膜没有出现...
关键词：射频磁控溅射 Mg掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜 带隙宽度 P型掺杂 
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