云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAINP

GAINP: 作品数：70被引量：70H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信电气工程更多>>; 相关作者：董建荣何巍陆书龙陆大成王占国更多>>; 相关机构：中国科学院中国电子科技集团公司第十八研究所华南师范大学上海空间电源研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808-nm laser diode: 《中国光学(中英文)》2025年第1期186-197,共12页FU Meng-jie DONG Hai-liang JIA Zhi-gang JIA Wei LIANG Jian XU Bing-she; 国家自然科学基金(No.61904120,No.21972103);山西省“1331项目”;山西浙大新材料与化工研究院项目(No.2022SX-TD018,No.2021SX-AT001,002和003)。; There is nonradiative recombination in waveguide region owing to severe carrier leakage,which in turn reduces output power and wall-plug efficiency.In this paper,we designed a novel epitaxial structure,which suppresse...; 关键词：808-nm laser diode Ga_(0.55)In_(0.45)P and GaAs_(0.6)P_(0.4)insertion layers InAlGaAs quantum well carrier leakage

GaInP_(2)LEO空间太阳电池功率衰减估计: 《电源学报》2021年第5期191-199,共9页李强赵岩曹继宏李会锋王超; 国家自然科学基金资助项目(61801518)。; 针对空间环境对GaInP_(2)太阳电池输出功率衰减的影响,以某晨昏轨道卫星搭载器件数据为对象,在分析轨道倾角摄动、光照角变化、降交点地方时漂移和日地距离波动等因素的基础上,讨论电池工作温度和输出电流变化,建立太阳电池输出电流拟...; 关键词：太阳电池功率衰减估计预测遥测

GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究: 《电源技术》2021年第10期1324-1326,共3页高慧杨瑞霞; 基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率。通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV。采...; 关键词：GAINP 有序度三结太阳电池 PN结电流密度

基于布拉格反射器的GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池电子辐照性能被引量：4: 《光学学报》2020年第16期206-213,共8页颜平远涂洁磊艾尔肯·阿不都瓦衣提张炜楠李雷胡凯雷琪琪; 国家自然科学基金(61664010)。; 为获得包含布拉格反射器的太阳电池在电子辐照下的退化规律与机制,利用光学膜系软件Macleod设计出适用于晶格失配的GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的布拉格反射器结构,并对嵌入该结构的三结太阳电池开展1MeV的高能电子辐照实验,最后结...; 关键词：薄膜电子辐照太阳电池布拉格反射器电学参数

面向高效单结GaInP太阳电池的介质复合纳米结构的仿真研究: 《光电子．激光》2019年第5期474-480,共7页王岩岩王刘丽王洁周炜曜张瑞英; 江苏省高等学校大学生创新创业训练计划项目(201713983011X);江苏省重点研发计划-产业前瞻与共性关键技术项目(BE2016083);国家自然基金项目(51202284);江苏省基础研究计划(自然科学基金)-青年基金项目(BK20180208)资助项目; 以实现宽谱减反介质复合纳米结构表面的高效单结GaInP太阳电池为目标,利用严格耦合波分析理论,仿真研究了该电池表面的介质复合纳米结构对太阳电池宽谱减反、归一化吸收、最大化理想效率的影响。该介质复合纳米结构从上往下依次为SiO2...; 关键词：介质复合纳米结构宽谱减反 RCWA GaInP电池

Storage and transfer of optical excitation energy in GaInP epilayer:Photoluminescence signatures: 《Journal of Materials Science & Technology》2019年第7期1364-1367,共4页Shijie Xu Ying Huang Zhicheng Su Rongxin Wang Jianrong Dong Deliang Zhu; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11374247);in part by a grant from the University Grants Committee Areas of Excellence Scheme of the Hong Kong Special Administrative Region, China (Project No. [AoE/P-03/08]); GaInP alloy could be the most trusted key material for fabricating super-high-efficiency single-and multijunction solar cells, especially for space applications. The storage and transfer of optical excitation energy i...; 关键词：GAINP alloy PHOTOLUMINESCENCE Energy transfer PHOTON recycling

张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性被引量：2: 《光子学报》2019年第1期51-56,共6页林涛宁少欢李晶晶张天杰段玉鹏林楠马骁宇; 陕西省自然科学基础研究计划(No.2017JM6042)~~; 对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K～300K)光致发光特性研究表明:3...; 关键词：量子阱混杂离子注入低温PL谱蓝移张应变

InP/GaInP nanowire tunnel diodes被引量：4: 《Nano Research》2018年第5期2523-2531,共9页Xulu Zeng Gaute Otnes Magnus Heurlin Renato T Mourao Magnus T Borgstrom; Semiconductor nanowire （NW） solar cells with a single p-n junction have exhibited efficiency comparable to that of their planar counterparts with a substantial reduction in material consumption. Tandem geometry is a...; 关键词：NANOWIRE tunnel diode INP GAINP tandem junction solar cell

1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers on silicon with GaInP upper cladding layers被引量：3: 《Photonics Research》2018年第4期321-325,共5页JUN WANG HAIYANG HU HAWING YIN YIMING BAI JIAN LI XIN WEI YUANYUAN LIU YONGQING HUANG XIAOMIN REN HUIYUN LIU; Beijing University of Posts and Telecommunications(BUPT)(IPOC2016ZT01);National Natural Science Foundation of China(NSFC)(61474008,61574019,61674020);International Science&Technology Cooperation Program of China(2011DFR11010);111 Project of China(B07005); We report on the first electrically pumped continuous-wave(CW) In As/Ga As quantum dot(QD) laser grown on Si with a GaInP upper cladding layer. A QD laser structure with a Ga_(0.51)In_(0.49)P upper cladding layer and ...; 关键词：量子点激光通讯技术发展现状

Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延研究被引量：1: 《廊坊师范学院学报（自然科学版）》2018年第1期28-32,共5页何巍; 国家自然科学基金资助项目(61176128); Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对Ge衬底表面进行高温预处理,可以有效避免反向畴形成。采用较低的生长温度和生长速率,可以有效抑制异质界...; 关键词：Ge GAAS GAINP 异质外延

GAINP