梅斌

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：摇摆曲线INP衬底INGAAS/INALASINALASX射线衍射分析更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》更多>>
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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)
《功能材料与器件学报》2008年第5期889-894,共6页梅斌 徐刚毅 李爱珍 李华 李耀耀 魏林 
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度...
关键词：高分辨X射线衍射 InGaAs INALAS 错向角 摇摆曲线 倒空间mapping 
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