Ⅱ型量子阱中红外光电子器件  

作　　者：高编（译） 

出　　处：《红外》2007年第12期5-5,共1页Infrared

摘　　要：本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，

关 键 词：光电子器件 量子阱 中红外 Ⅱ型 INGAASSB INP衬底 激活 空穴 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]