GAN发光二极管

作品数：17被引量：38H指数：4
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Er^(3+)掺杂对ZnO/GaN发光二极管电致发光性能的调控被引量：3
《发光学报》2021年第6期863-870,共8页刘威 李竹新 王俊洁 石增良 
国家自然科学基金(11734005,61821002,62075041);国家重点研发计划(2018YFA0209101,2017YFA0700500)资助项目。
采用水热法制备了Er^(3+)掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光性能进行了表征。结果表明,掺杂前后ZnO纳米棒的形貌及晶型结构未发生改变,Er^(3+)被均匀地掺杂至ZnO...
关键词：ZNO纳米棒阵列 Er^(3+)掺杂 缺陷调控 电致发光器件 
具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管被引量：3
《物理学报》2019年第24期301-305,共5页郭伟玲 邓杰 王嘉露 王乐 邰建鹏 
国家重点研究发展计划(批准号:2017YFB0403100,2017YFB0403102)资助的课题~~
近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压...
关键词：透明电极 石墨烯 铟锑氧化物 比接触电阻率 
金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响被引量：1
《天津工业大学学报》2019年第3期55-60,共6页刘宏伟 刘雨鑫 于丹丹 王迪 郭凯 郏成奎 
国家自然科学基金资助项目(61575144,61504093);天津市科技计划项目(16YFXTGX00230,18JCYBJC85400,18ZXCLGX00090);天津市教委科研计划资助项目(2017ZD06);天津市高等学校创新团队培养计划资助项目(TD13-5035)
为了提高光提取效率,分析在GaN发光二极管(LED)结构中的光波矢传播模型,并分析Ag光子晶体的表面等离激元和能带结构;同时模拟未覆盖和覆盖Ag光子晶体的GaN-LED结构的发光,通过改变Ag光子晶体直径、周期和入射光的角度,分析不同晶格方向...
关键词：GAN发光二极管 光子晶体 金属表面等离子体 光提取 
ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展
《河南科技》2017年第13期144-146,共3页刘辉 史敏娜 王小峰 
ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质...
关键词：ZnO/GaN发光二极管 界面层 量子限制效应 
4英寸硅衬底GaN发光二极管被引量：1
《半导体技术》2016年第8期610-614,共5页袁凤坡 刘波 尹甲运 王波 王静辉 唐景庭 
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射...
关键词：氮化镓 量子阱 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 喇曼光谱 
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究被引量：4
《量子电子学报》2014年第1期107-115,共9页张大庆 李国斌 陈长水 
国家自然科学基金(60878063);广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001;8251063101000006)联合资助
通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱...
关键词：光电子学 量子阱垒高 In含量 数值模拟 INGAN GAN发光二极管 
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
《发光学报》2013年第2期225-229,共5页王东盛 郭文平 张克雄 梁红伟 宋世巍 杨德超 申人升 柳阳 夏晓川 骆英民 杜国同 
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%...
关键词：金属有机物化学气相沉积 紫光发光二极管 GAN发光二极管 电子阻挡层 超晶格 
GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法被引量：10
《中国激光》2011年第8期190-194,共5页余菲 金雷 
GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加...
关键词：光学器件 GAN 白光LED 发光二极管 老化 寿命 
基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理被引量：7
《物理学报》2009年第8期5700-5704,共5页陈焕庭 吕毅军 陈忠 张海兵 高玉琳 陈国龙 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A175);福建省科技重大专项(批准号:2006H0092);福建省自然科学基金(批准号:2008J0030)资助的课题~~
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合...
关键词：GAN发光二极管 负电容 电导 老化机理 
GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究被引量：2
《真空与低温》2009年第1期56-61,共6页曾正清 李朝木 吴会龙 
自主资助项目(556000828)。
GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。
关键词：半导体照明 GAN发光二极管 流明效率 照明系统合成 
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