GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究  

INVESTIGATION DEVELOPMENT OF SYNTHESIS LIGHTING SOURCE GaN LED

作　　者：曾正清[1] 李朝木[1] 吴会龙[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十五研究所,江苏南京210016

出　　处：《真空与低温》2009年第1期56-61,共6页Vacuum and Cryogenics

基　　金：自主资助项目(556000828)。

摘　　要：GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。There is still a huge development gap as against the lumen efficieney and world-class（200 lm/W）target for synthesis lighting source GaN LED. Application developments system and material epitaxy,ehip fabrication process,device package,latest development of key technology of lighting source GaN LED was also discussed.

关 键 词：半导体照明 GAN发光二极管 流明效率 照明系统合成 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]