柳阳

作品数：11被引量：20H指数：3
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发文主题：氧化镓镓硼酸酯铁催化剂衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《光电子技术》《发光学报》《材料导报》《半导体光电》更多>>
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乒乓球辅助训练系统
《电子产品世界》2018年第5期52-55,共4页郭晓宇 刘文宇 王曦 李航 柳阳 
介绍了以中天CK-CPU架构及其平台为核心,可检测乒乓球在球案上的落点位置,并显示搭载在阿里云服务器的网站。落点检测的方法是声源定位法,即通过布置在乒乓球案周围的三个麦克风采集球落在乒乓球案上的声音或者击球时的声音,然后经过放...
关键词：声源定位 姿态检测 图形化重现 
不同电子阻挡层的紫光LED特性研究
《光电子技术》2015年第4期253-257,262,共6页蒋建华 黄慧诗 梁红伟 王东盛 柳阳 夏晓川 申人升 
通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响。APSYS软件的模拟结...
关键词：氮化镓 紫光发光二极管 电子阻挡层 发光效率 
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)被引量：3
《发光学报》2013年第8期1017-1021,共5页宋世巍 梁红伟 申人升 柳阳 张克雄 夏晓川 杜国同 
国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020);国家863项目(2011AA03A102);中央高校项目(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的...
关键词：SIN 应力弛豫 插入层 
低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
《发光学报》2013年第6期744-747,共4页宋世巍 柳阳 梁红伟 夏小川 张克雄 杨德超 杜国同 
国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020);国家863项目(2011AA03A102);中央高校项目(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件...
关键词：LED 相分离 插入层 
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响被引量：1
《发光学报》2013年第4期469-473,共5页柯昀洁 梁红伟 申人升 宋世巍 夏晓川 柳阳 张克雄 杜国同 
国家自然科学基金(60976010;61076045;11004020);国家863重大项目(2011AA03A102);中央高校基本科研业务费专项(DUT12LK22;DUT11LK43;DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随...
关键词：MOCVD 高度调节 INGAN GaN量子阱 
衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
《发光学报》2013年第3期340-344,共5页杨德超 梁红伟 邱宇 宋世巍 申人升 柳阳 夏晓川 俞振南 杜国同 
国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020);国家“863”高科技研究发展项目(2011AA03A102);中央高校基本科研基金(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045);信息学功能材料国家重点实验室开放基金资助项目
利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延...
关键词：GAN LED 弯曲度 残余应力 
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
《发光学报》2013年第2期225-229,共5页王东盛 郭文平 张克雄 梁红伟 宋世巍 杨德超 申人升 柳阳 夏晓川 骆英民 杜国同 
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%...
关键词：金属有机物化学气相沉积 紫光发光二极管 GAN发光二极管 电子阻挡层 超晶格 
MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5
《发光学报》2011年第9期956-961,共6页许露 梁红伟 刘远达 李春野 柳阳 边继明 李国兴 李万程 吴国光 杜国同 
国家自然科学基金(60976010;10804040;10804014;60877020;11004020;601706045);大连理工大学基本科研业务费(DUT11LK43);辽宁省博士启动基金(20081081)资助项目
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光...
关键词：Cu掺杂ZnO MOCVD 蓝紫光发射峰 光致发光 
Cu掺杂ZnO的光致发光光谱被引量：2
《材料导报》2011年第3期36-42,共7页许露 梁红伟 刘远达 李春野 冯秋菊 柳阳 李国兴 杜国同 
自然科学基金(60976010;10804040;10804014;60877020;0532080);大连理工大学理科科研基金;大连理工大学青年教师培养基金;辽宁省博士启动基金(20081081)
ZnO是宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备光电器件的优选材料。然而,p型掺杂仍是亟待解决的问题。ⅠB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,可以实现ZnO的p型掺杂。综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下...
关键词：Cu掺杂ZnO 光致发光 带边发射 可见光发射 
倾斜光纤光栅传感器研究进展被引量：5
《半导体光电》2010年第2期170-174,189,共6页张笑 柳阳 申人升 张玉书 杜国同 
大连理工大学引进人才启动基金项目(3005-893338)
倾斜光纤光栅传感器(TFBG)作为一种较为特殊的光栅传感器受到了广泛的关注,它除了光纤光栅本身具有的优点外,还具有环境折射率敏感度高、可解决温度-应变交叉敏感问题等其他光纤光栅传感器无法比拟的优点。文章首先概述了TFBG的工作原理...
关键词：倾斜光纤光栅传感器 倾角 应变 温度 环境折射率 
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