刘远达

作品数：2被引量：7H指数：2
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供职机构：大连理工大学更多>>
发文主题：MOCVDZNO光致发光ZNO薄膜MOCVD法更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《材料导报》更多>>
所获基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
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MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5
《发光学报》2011年第9期956-961,共6页许露 梁红伟 刘远达 李春野 柳阳 边继明 李国兴 李万程 吴国光 杜国同 
国家自然科学基金(60976010;10804040;10804014;60877020;11004020;601706045);大连理工大学基本科研业务费(DUT11LK43);辽宁省博士启动基金(20081081)资助项目
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光...
关键词：Cu掺杂ZnO MOCVD 蓝紫光发射峰 光致发光 
Cu掺杂ZnO的光致发光光谱被引量：2
《材料导报》2011年第3期36-42,共7页许露 梁红伟 刘远达 李春野 冯秋菊 柳阳 李国兴 杜国同 
自然科学基金(60976010;10804040;10804014;60877020;0532080);大连理工大学理科科研基金;大连理工大学青年教师培养基金;辽宁省博士启动基金(20081081)
ZnO是宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备光电器件的优选材料。然而,p型掺杂仍是亟待解决的问题。ⅠB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,可以实现ZnO的p型掺杂。综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下...
关键词：Cu掺杂ZnO 光致发光 带边发射 可见光发射 
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