王静辉

作品数：8被引量：16H指数：3
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碳化硅功率模块焊接工艺研究进展被引量：5
《微纳电子技术》2020年第2期163-168,共6页李帅 白欣娇 袁凤坡 崔素杭 李晓波 王静辉 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400404);河北省产业创新创业团队资助项目(189A0603H).
碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳...
关键词：碳化硅(SiC) 功率模块 焊接材料 纳米银烧结 纳米铜焊膏 高温封装 
封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响被引量：3
《半导体技术》2019年第9期712-716,734,共6页袁凤坡 白欣娇 李帅 崔素杭 李晓波 王静辉 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)
SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研...
关键词：SIC 功率模块 热电特性 有限元分析 空洞率 
4英寸硅衬底GaN发光二极管被引量：1
《半导体技术》2016年第8期610-614,共5页袁凤坡 刘波 尹甲运 王波 王静辉 唐景庭 
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射...
关键词：氮化镓 量子阱 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 喇曼光谱 
变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
《半导体技术》2016年第3期224-228,共5页袁凤坡 王波 潘鹏 王静辉 唐景庭 
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长...
关键词：氮化镓 量子阱(QW) 三角形量子阱(TQW) 发光二极管(LED) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4
《半导体技术》2014年第5期361-364,共4页陈才佳 李珅 王静辉 李晓波 
根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率...
关键词：电流阻挡层 Al反射镜 反射电极 化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发 
溅射时间对AZO薄膜结构以及光电性能的影响
《半导体技术》2011年第5期359-362,共4页李晓波 杨瑞霞 王静辉 
应用直流磁控溅射在石英玻璃上生长AZO薄膜,利用X射线双晶衍射(XRD)、四探针以及可见光分光光度计,对薄膜结构特性、光学以及电学特性进行了分析,并讨论了溅射时间对薄膜晶体结构、膜厚、方块电阻以及透过率的影响。针对AZO在LED中作为...
关键词：直流磁控溅射 AZO薄膜 X射线衍射 方块电阻 透光率 
GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
《微纳电子技术》2008年第8期476-479,共4页王静辉 张力江 吴益竹 
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压...
关键词：选择腐蚀 赝配高电子迁移率晶体管 腐蚀终止层 砷化镓 凹槽 
KrF光刻工艺技术被引量：3
《半导体技术》2006年第8期569-572,共4页刘德明 王静辉 
比较了248nmKrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nmKrF光刻工艺的特点。对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nmKrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用。
关键词：光刻 氟化氪 工艺 
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