刘德明

作品数：1被引量：3H指数：1
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KrF光刻工艺技术被引量：3
《半导体技术》2006年第8期569-572,共4页刘德明 王静辉 
比较了248nmKrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nmKrF光刻工艺的特点。对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nmKrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用。
关键词：光刻 氟化氪 工艺 
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