InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究  

Research on Photoluminescence Properties of InGaAs/GaAs Strained Quantum Well

作　　者：戴银[1] 李林[1] 苑汇帛 乔忠良[1] 孔令沂 谷雷[1] 刘洋[1] 李特[1] 曲轶[1] 刘国军[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春1300222 [2]艾强(上海)贸易有限公司,上海200052

出　　处：《光学学报》2014年第11期342-347,共6页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051;61370043);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)

摘　　要：利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。Strained InGaAs/GaAs single quantum wells （SQWs） are grown by the low pressure metal-organic chemical vapor deposition （LP-MOCVD）. The experimental results show that the photoluminescence （PL） emission of InGaAs/GaAs SQW can be greatly improved by optimizing the growth rate, V/Ⅲ ratio and temperature. It is found that the QW structures grown at the growth temperature of 600 -C and the growth rate of 1.15 μm/h exhibit better PL emission, stronger PL intensity with higher V/Ⅲ ratio. The reason why the blue shift phenomenon of PL spectrum disappear when the InGas ratio is higher is explained by a model.

关 键 词：薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]