MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED  

MOVPE Growth of InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-emitting Diodes

作　　者：王晓晖[1] 刘祥林[1] 陆大成[1] 袁海荣[1] 韩培德[1] 汪度[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京100083

出　　处：《高技术通讯》2001年第2期38-39,共2页Chinese High Technology Letters

基　　金：86 3计划资助项目!(86 3 715 0 0 1 0 0 10 )

摘　　要：采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入电流小于 4 0mA时 ,发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的In GaN单量子阱结构的绿光LED。InGaN green LEDs with single quantum well structures based on Ⅲ Ⅴ nitrides are grown by MOVPE on sapphire substrates. The peak wavelength and the full width at half maximum(FWHM ) of the electroluminescence are 530nm and 30nm, respectively. SQW green LEDs are fabricated successfully for the first time in China.

关 键 词：MOVPE INGAN 单量子阱 绿光LED 发光二极管 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]