MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED  

InGaN/AlGaN Blue and Green LED Grown by MOVPE

作　　者：陆大成[1] 刘祥林[1] 韩培德[1] 王晓晖[1] 汪度[1] 袁海荣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室,北京100083

出　　处：《液晶与显示》2001年第1期1-5,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金："863"计划资助项目!(863-715-234-04)

摘　　要：报道用自行研制的LP-MOVPE设备， 在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED， 其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。Zn and Si co-doped InGaN/AlGaN double-heterostructure and InGaN/GaN single quantum well structure were grown on Al2O3 substrate by LP-MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450nm and green LEDs with wavelength of 520～540nm were fabricated.

关 键 词：GAN InGaN AlGaN 双异质结 量子阱 蓝光LED 绿光LED MOVPE 氮化镓 发光二极管 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]