张忠芬

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文主题：ALGAN/GANAL2O3钝化掺杂GAN缓冲层更多>>
发文领域：电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《科学通报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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非故意掺杂与半绝缘GaN缓冲层上的AlGaN/GaN异质结构的高温电子输运特性
《科学通报》2010年第16期1584-1588,共5页付小凡 王昊 史林玉 张忠芬 张进成 欧新秀 郝跃 
国家自然科学基金重大项目及关键项目(60890191,60736033);国家重点科技专项(2008ZX01002-002)资助
研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 高温 电子输运 
Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：1
《物理学报》2009年第10期7211-7215,共5页毕志伟 冯倩 郝跃 岳远征 张忠芬 毛维 杨丽媛 胡贵州 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防预研基金(批准号:51308030102)资助的课题~~
在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显...
关键词：AL2O3 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管 介质层厚度 钝化 
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