毛维

作品数：10被引量：15H指数：3
导出分析报告
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：场板势垒层电力电子系统功率器件淀积更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《中国科学：技术科学》《微电子学》《物理学报》《电子与信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法被引量：1
《电子与信息学报》2017年第12期3039-3044,共6页常永明 毛维 杜林 郝跃 
国家自然科学基金(61574112);陕西省自然科学基础研究计划(605119425012)~~
该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaNHEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 绝对误差函数 参数提取 遗传算法 
一种改进的AlGaN/GaN HEMT全局直流模型被引量：3
《微电子学》2017年第3期416-419,共4页常永明 毛维 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(61574112)
对Angelov直流FET模型进行改进,并应用同一遗传算法对改进前后的模型进行全局直流模型参数提取,平均相对误差分别为4.58%和1.8%。将模型计算值与实验数据进行对比,结果表明,改进后的模型能更加准确地描述AlGaN/GaN HEMT源漏电流随栅、...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 全局直流模型 遗传算法 
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管被引量：4
《物理学报》2016年第3期379-384,共6页王冲 赵梦荻 裴九清 何云龙 李祥东 郑雪峰 毛维 马晓华 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:61574110;61574112;61106106)资助的课题~~
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压...
关键词：双异质结 增强型器件 F等离子体 漏致势垒降低效应 
在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究被引量：1
《中国科学：技术科学》2011年第2期234-238,共5页许晟瑞 周小伟 郝跃 杨林安 张进成 毛维 杨翠 蔡茂世 欧新秀 史林玉 曹艳荣 
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000904009)资助
在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着S...
关键词：非极性 GAN HRXRD 光致发光 
场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究被引量：4
《物理学报》2011年第1期586-591,共6页毛维 杨翠 郝跃 张进成 刘红侠 马晓华 王冲 张金风 杨林安 许晟瑞 毕志伟 周洲 杨凌 王昊 
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925002);国家自然科学基金(批准号:60976068,60936005);国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)资助的课题~~
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制...
关键词：电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率 
增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究被引量：1
《物理学报》2010年第10期7333-7337,共5页王冲 全思 马晓华 郝跃 张进城 毛维 
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);中国国防科技预研基金(批准号:51308030102);西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题~~
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5min后,阈值电压由0.12V正向移动到0.57V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN ...
关键词：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 增强型器件 
Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：1
《物理学报》2009年第10期7211-7215,共5页毕志伟 冯倩 郝跃 岳远征 张忠芬 毛维 杨丽媛 胡贵州 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防预研基金(批准号:51308030102)资助的课题~~
在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显...
关键词：AL2O3 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管 介质层厚度 钝化 
金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
《物理学报》2009年第8期5705-5708,共4页许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002)资助的课题~~
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺...
关键词：GAN 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性 
增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析被引量：1
《中国科学（E辑）》2009年第1期119-123,共5页郝跃 王冲 倪金玉 冯倩 张进城 毛维 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033)
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1.5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS/mm,阈值电压为0.12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0.53V.深入研究发现,当器...
关键词：增强型高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 槽栅 阈值电压 
立方运算放大器电路“精度”的优化设计
《电子科技》2004年第4期34-37,共4页游海龙 贾新章 毛维 
电子设计自动化软件Pspice中的优化模块Optimizer不但可以直接以电路的基本特性参数(如增益、带宽、中心频率等)为目标,实现电路的优化设计,而且通过建立特征函数、调用外部文件,还可以针对一些特殊的电路设计指标要求,进行电路优化设...
关键词：立方运算放大器 PSPICE 特征函数 优化设计 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部