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低光强下CdTe太阳电池的性能研究被引量：1: 《半导体光电》2016年第6期796-799,共4页徐小波王晓艳谷文萍张林全思葛建华; 中国博士后科学基金项目(2013M540732);国家自然科学基金项目(61504011);陕西省自然科学基金项目(2014JQ8344);中央高校基本科研业务费专项资金项目(310832161002,310832151090);西安市科技计划项目(CXY1441(9)); 研究了低光强下CdTe太阳电池的性能变化。基于经典的CdS/CdTe结构,建立了短路电流、开路电压、填充因子和转换效率等参数与光强之间的关系模型,模拟了0.02~1kW/m^2光强范围内的主要参数变化规律。结果表明,随着光强的减小,CdTe电池短路...; 关键词：CDTE 太阳电池异质结

质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：2: 《电子学报》2016年第6期1445-1449,共5页谷文萍张林杨鑫全思徐小波杨丽媛刘盼芝; 国家自然科学基金(No.61504011;No.51504191);中国博士后基金(No.2013M540732;No.2013M542307);陕西省自然科学基金(No.2014JM6229;No.2014JQ8344;No.2015JM6357);中央高校基本科研业务费项目(No.310832161002);西安市科技计划项目(No.CXY1441(9);No.CXY1438(5));大学生创新创业训练项目(No.201510710037); 分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 质子辐照辐射感生受主缺陷辐射加固

电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1: 《半导体技术》2015年第4期278-283,共6页谷文萍全思张林徐小波刘盼芝杨丽媛; 国家自然科学基金资助项目(41101357);陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028;2014JQ8344);西安市科技计划项目(CXY1441(9));博士后基金资助项目(2013M540732);中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC095); 采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高...; 关键词：Al GA N/Ga N HEMT 电子辐照表面态辐照加固辐照损伤

AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应被引量：2: 《半导体技术》2015年第3期217-221,共5页谷文萍全思张林徐小波刘盼芝; 国家自然科学基金资助项目(41101357);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CHD2012JC095);陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028;2014JQ8344);博士后基金资助项目(2013M540732);西安市科技计划资助项目(CXY1441(9)); 采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载...; 关键词：AlGaN/GaN异质结构中子辐照受主缺陷表面形貌晶格应力

中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响被引量：7: 《物理学报》2014年第4期278-283,共6页谷文萍张林李清华邱彦章郝跃全思刘盼枝; 国家重点基础研究发展计划(批准号:513270407;61354);预先研究项目(批准号:51311050112;51308030102;51308040301);中央高校基本科研业务费(批准号:CHD2012JC095);陕西省自然科学基金(批准号:2013JQ7028)资助的课题~~; 本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电流有轻微变化(正向栅电流IF增加,反向栅电流IR减小),随着中子...; 关键词：ALGAN GAN HEMT 中子辐照缺陷退火

一种用于锂电池充电IC的电池检测电路被引量：3: 《微电子学》2013年第3期354-358,共5页李演明毛翔宇全思文常保温立民; 国家自然科学基金资助项目(60806043;60806009);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CHD2010JC077);陕西省道路交通智能检测与装备工程研究中心开放基金资助项目; 针对智能充电器芯片待机时需要重复进行电池接入/移除检测、待机功耗较大的缺点,设计了一种新颖的利用锂电池温敏电阻端触发的电池接入/移除检测电路。该电路已被集成到一款基于UMC 0.35μm CMOS工艺的单节锂电池充电芯片上。测试结果表...; 关键词：锂电池充电器恒流恒压电池检测

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究被引量：1: 《物理学报》2010年第10期7333-7337,共5页王冲全思马晓华郝跃张进城毛维; 国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);中国国防科技预研基金(批准号:51308030102);西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题~~; 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5min后,阈值电压由0.12V正向移动到0.57V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN ...; 关键词：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 增强型器件

An Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMT with Recessed-Gate被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第9期1682-1685,共4页王冲张金凤全思郝跃张进城马晓华; the Key Programof the National Natural Science Foundation of China(No.60736033)~~; Fabrication of enhancement-mode high electron mobility transistors on AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates is reported. These devices with 1.2μm gate-length,4mm space between source and drain,and 1...; 关键词：high electron mobility transistors AlGaN/GaN recessed-gate threshold voltage

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