杨丽媛

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：长安大学更多>>
发文主题：方块电阻反相器电阻特性势垒ALGAN/GAN_HEMT器件更多>>
发文领域：电子电信建筑科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：2
《电子学报》2016年第6期1445-1449,共5页谷文萍 张林 杨鑫 全思 徐小波 杨丽媛 刘盼芝 
国家自然科学基金(No.61504011;No.51504191);中国博士后基金(No.2013M540732;No.2013M542307);陕西省自然科学基金(No.2014JM6229;No.2014JQ8344;No.2015JM6357);中央高校基本科研业务费项目(No.310832161002);西安市科技计划项目(No.CXY1441(9);No.CXY1438(5));大学生创新创业训练项目(No.201510710037)
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固 
电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1
《半导体技术》2015年第4期278-283,共6页谷文萍 全思 张林 徐小波 刘盼芝 杨丽媛 
国家自然科学基金资助项目(41101357);陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028;2014JQ8344);西安市科技计划项目(CXY1441(9));博士后基金资助项目(2013M540732);中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC095)
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高...
关键词：Al GA N/Ga N HEMT 电子辐照 表面态 辐照加固 辐照损伤 
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