贾新章

作品数：84被引量：316H指数：10
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发文主题：工序能力指数集成电路统计过程控制成品率可靠性更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》《固体电子学研究与进展》《强激光与粒子束》更多>>
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VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析被引量：1
《微电子学》2014年第6期825-828,共4页赵杨杨 游海龙 刘鹏 张宇 贾新章 
国家自然科学基金资助项目(60906051);中央高校基本业务费资助项目(7210531201)
讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。
关键词：VDMOS 栅引线脱落 阈值电压 
基极注入HPM导致的双极型晶体管失效分析被引量：1
《西安电子科技大学学报》2014年第1期92-97,共6页范菊平 游海龙 贾新章 
国家自然科学基金资助项目(60906051)
为了研究高功率微波对双极型晶体管的作用,在双极型晶体管基极直接注入高功率微波效应实验现象的基础上,建立了高功率微波作用于双极型器件的物理过程与模型,并通过器件仿真,分析确定了高功率微波引起器件失效的主要原因是:高功率微波...
关键词：高功率微波 双极型晶体管 直流特性 烧毁面积 
漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理被引量：4
《西北大学学报（自然科学版）》2013年第5期724-728,共5页范菊平 游海龙 贾新章 
国家自然科学基金资助项目(60906051)
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高功率微波 热电损伤 熔丝 
基于T-K控制图的多品种生产模式统计过程控制方法被引量：4
《系统工程理论与实践》2013年第10期2639-2644,共6页顾铠 贾新章 游海龙 张士红 
根据SPC基本原理,传统的统计过程控制技术无法直接用于多品种生产环境的质量监控.提出了一种新颖的统计过程控制方法,对工艺参数均值及标准偏差监控,仅需一张控制图即可对多品种生产过程的运行状态做出评价.详细给出了T、K统计量的定义...
关键词：多品种生产 统计过程控制 质量控制 控制图 
高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究被引量：11
《物理学报》2012年第10期485-491,共7页游海龙 蓝建春 范菊平 贾新章 查薇 
国家自然科学基金(批准号:60906051)资助的课题~~
高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中...
关键词：高功率微波 n型金属.氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子 特性退化 
小波分析在IC I_(DDT)弱故障定位研究中的应用
《计算机与数字工程》2010年第9期5-8,共4页焦慧芳 贾新章 
针对IC中的弱故障进行了瞬态电流IDDT研究,发现IDDT信号中带有弱故障信息,在此基础上应用小波分析技术对弱故障IDDT进行了故障定位研究,提取出电路的故障特征参数Td,为实现弱故障定位进行了有益地探索。
关键词：弱故障 瞬态电流IDDT 故障定位 小波分析 故障特征参数 
双极型晶体管高功率微波的损伤机理被引量：21
《强激光与粒子束》2010年第6期1319-1322,共4页范菊平 张玲 贾新章 
模拟集成电路国家重点实验室基金项目(9140C09040206DZ0101)
在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得...
关键词：高功率微波 晶体管 损伤 失效分析 
采用响应曲面方法实现IC的稳健优化设计被引量：4
《西安电子科技大学学报》2009年第3期458-462,共5页游海龙 贾新章 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助(51439040103DZ0102)
由于仿真不收敛等问题,仅依靠EDA仿真很难实现集成电路(IC)稳健性设计.提出了利用响应曲面(RSM)与电路仿真相结合对集成电路进行稳健性优化设计的方法.并将该方法应用于带隙基准电路稳健优化设计.通过Hspice电路仿真与统计试验设计(DOE)...
关键词：稳健优化设计 响应曲面法(RSM) 试验设计(DOE) 
电流模降压DC-DC大负载低漏失工作研究
《固体电子学研究与进展》2009年第3期429-433,共5页袁冰 来新泉 叶强 靳钊 李演明 贾新章 
国家部委重点预研资助(D112006067);教育部超高速电路与电磁兼容重点实验室专项资助(YZCB2008009)
对线性斜坡补偿与芯片峰值电流和带载的关系进行了论证,针对大负载低漏失工作,在分段线性斜坡补偿的基础上,提出了电流抵消电路,得到在箝位状态可调节的斜坡电流,延长了电池的使用寿命,利于便携式应用。电路紧凑简洁,易于实现,并在一款...
关键词：DC-DC变换器 电流模控制 低漏失工作 斜坡补偿 带载能力 
具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计被引量：6
《电子学报》2009年第5期1130-1135,共6页李演明 来新泉 贾新章 曹玉 叶强 
国家部委重点预研资助(No.D1120060967;Y30306270105);国家自然科学基金(No.60876023);教育部超高速电路与电磁兼容重点实验室专项资助(No.YZCB2008008)
设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS...
关键词：线性稳压器 低漏失稳压器 快速瞬态响应 电源管理IC 
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