具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计  

A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator

作　　者：李演明[1,2] 来新泉[1] 贾新章[2] 曹玉[1] 叶强[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学电路CAD研究所,陕西西安710071 [2]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《电子学报》2009年第5期1130-1135,共6页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家部委重点预研资助(No.D1120060967;Y30306270105);国家自然科学基金(No.60876023);教育部超高速电路与电磁兼容重点实验室专项资助(No.YZCB2008008)

摘　　要：设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为0.49mm2.该LDO空载下的静态电流仅23μA,最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5%.A low-dropout regulator （LDO） with fast-transient response speed is presented by utilizing the proposed transient response enhancement （TRE） circuit, which doesn＇ t bring the quiescent current increase. The proposed LDO has been fabricated in a 0.5μm standard CMOS process,and the die area is 0.49mm^2. The proposed LDO dissipates 23μA quiescent current at no-load condition and is able to deliver up to 200mA load current. With a 1μF output capacitor, the maximum Iransient output-voltage variation is within 3.5% of the output voltage with load step changes of 200mA/100ns.

关 键 词：线性稳压器 低漏失稳压器 快速瞬态响应 电源管理IC 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]