史林玉

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文主题：MOCVD非极性GAN成核衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《中国科学：技术科学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家科技重大专项更多>>
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在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究被引量：1
《中国科学：技术科学》2011年第2期234-238,共5页许晟瑞 周小伟 郝跃 杨林安 张进成 毛维 杨翠 蔡茂世 欧新秀 史林玉 曹艳荣 
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000904009)资助
在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着S...
关键词：非极性 GAN HRXRD 光致发光 
非故意掺杂与半绝缘GaN缓冲层上的AlGaN/GaN异质结构的高温电子输运特性
《科学通报》2010年第16期1584-1588,共5页付小凡 王昊 史林玉 张忠芬 张进成 欧新秀 郝跃 
国家自然科学基金重大项目及关键项目(60890191,60736033);国家重点科技专项(2008ZX01002-002)资助
研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 高温 电子输运 
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