HRXRD

作品数:30被引量:19H指数:3
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相关领域:电子电信理学更多>>
相关作者:周勋周小伟刘斌郑有炓张荣更多>>
相关机构:中国科学院浙江大学电子科技大学重庆光电技术研究所更多>>
相关期刊:《Chinese Physics Letters》《Chinese Journal of Structural Chemistry》《Journal of Semiconductors》《电子科技》更多>>
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究被引量:1
《红外与毫米波学报》2024年第1期15-22,共8页何苗 周易 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 
国家自然科学基金(61904183,61974152,62004205,62104236,62104237,62222412);国家重点研发计划(2022YFB3606800);上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000、22YF1455800);中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金(CX-399、CX-455)。
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种...
关键词:InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD 
Coherent-interface-induced strain in large lattice-mismatched materials:A new approach for modeling Raman shift被引量:1
《Nano Research》2022年第3期2405-2412,共8页Andrian V.Kuchuk Fernando Mde Oliveira Pijush K.Ghosh Yuriy I.Mazur Hryhorii V.Stanchu Marcio D.Teodoro Morgan E.Ware Gregory J.Salamo 
the U.S.National Science Foundation Engineering Research Center for Power Optimization of Electro Thermal Systems(POETS)with cooperative agreement EEC-1449548;F.M.O.and M.D.T.acknowledge the financial support of Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior-Brasil(CAPES)-Finance Code 001.
Strain engineering as one of the most powerful techniques for tuning optical and electronic properties of III-nitrides requires reliable methods for strain investigation.In this work,we reveal,that the linear model ba...
关键词:Raman spectroscopy strain lattice coherency III-NITRIDES high-resolution X-ray diffraction(HRXRD) 
用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量:3
《半导体技术》2019年第6期477-482,共6页杨丹丹 王健 孙科伟 张胜男 金雷 程红娟 郝建民 
国家自然科学基金资助项目(51702297);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404103);天津市科技计划资助项目(17YFZCGX00520;17ZXCLGX00020)
介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分...
关键词:4H-SiC单晶 高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描 摇摆曲线半高宽(FWHM) 晶界 
3-13 HRXRD Study of 6H-SiC Implanted With 300 keV He Ions
《IMP & HIRFL Annual Report》2014年第1期103-104,共2页Du Yangyang 
In this paper, samples used are oriented 6H-SiC <0001> surface supplied by the MIT company. They were cutinto 10 mm10 mm10 mm in size. The 6H-SiC wafers were implanted with 300 keV He ions to a fluence of 11017cm?2...
关键词:KEV HE IONS 
氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响
《半导体技术》2014年第11期836-840,845,共6页刘作莲 王海燕 杨为家 王文樑 李国强 
国家自然科学基金资助项目(51372001);广东省杰出青年基金资助项目(S2013050013882);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301012;2011A081301010;2012A080302002);广东省高等学校科技创新重点项目(cxzd1105)
应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显...
关键词:ALN薄膜 脉冲激光沉积(PLD) 氮化时间 高分辨X射线衍射(HRXRD)  描电子显微镜(SEM) 
高Al组分AlGaN材料的制备与表征
《昌吉学院学报》2014年第2期106-108,共3页杨莲红 王俊珺 
昌吉学院科研基金项目(2011YJYB001;2011YJB006)
随着紫外探测器的应用不断向更深紫外波段延伸,高Al组分AlGaN材料及AlGaN紫外探测器的研究成为紫外探测技术的主要发展方向之一。本文采用商用低压—金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备在(0001)方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到的Al...
关键词:ALGAN 表征 倒易空间 HRXRD SEM AFM 
Bulk Growth and Characterization of D-(–)-Alanine Single Crystals
《Journal of Crystallization Process and Technology》2013年第4期130-135,共6页Kalimuthu Moovendaran Subramanian Natarajan 
Single crystal of D-(–)-alanine (DALA), a non-linear optical material from the amino acid family was grown using a home-made crystal growth setup. The crystals of DALA were also grown by slow evaporation solution tec...
关键词:D-(–)-Alanine NLO Material MKN SETUP HRXRD CD SHG 
Development and characterization of 3CaO·P_(2)O_(5)-SiO_(2)-MgO glass-ceramics with different crystallization degree
《Journal of Advanced Ceramics》2013年第4期378-388,共11页Juliana Kelmy M.F.DAGUANO Paulo A.SUZUKI Kurt STRECKER JoséMartinho Marques de OLIVEIRA Maria Helena Figueira Vaz FERNANDES Claudinei SANTOS 
The authors would like to thank LNLS-Laboratório Nacional de Luz Síncrotron for technical support,and FAPESP for financial support,under grant No.07/50510-4.
The CaO-P_(2)O_(5)-SiO_(2)-MgO system presents several compounds used as biomaterials such as hydroxyapatite(HA),tricalcium phosphate(TCP)and TCP with magnesium substituting partial calcium(TCMP).Theβ-TCMP phase with...
关键词:GLASS-CERAMICS heat treatment high-resolution X-ray diffraction(HRXRD) bending strength 
GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化被引量:1
《物理学报》2013年第5期279-283,共5页张韵 谢自力 王健 陶涛 张荣 刘斌 陈鹏 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A103);国家自然科学基金(批准号:60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178)~~
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究.在对称面的三轴X射线衍射曲线中,用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度,两者均随着薄膜厚度的增加而增加,并且...
关键词:GaN薄膜马赛克结构 厚度 HRXRD 
MeV能量的重离子辐照GaN的HRXRD研究被引量:1
《原子核物理评论》2011年第3期332-336,共5页贾秀军 张崇宏 张丽卿 杨义涛 张勇 韩录会 徐超亮 张利民 
国家自然科学基金委员会大科学装置联合基金资助项目(10979063)~~
分别进行了2.3 MeV20Ne8+离子和5.0 MeV84Kr19+离子辐照GaN样品的实验,并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现,随着这两种离子辐照剂量的增大,GaN的HRXRD谱(0002)衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动,并在较高剂量时衍射峰发生...
关键词:GAN HRXRD 辐照损伤 
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