增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析  

作　　者：郝跃[1] 王冲[1] 倪金玉[1] 冯倩[1] 张进城[1] 毛维[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所、宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《中国科学（E辑）》2009年第1期119-123,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033)

摘　　要：成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1.5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS/mm,阈值电压为0.12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0.53V.深入研究发现,当器件槽深15nm时,相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小,但阈值电压从0.12V提高到0.47V.利用不同刻蚀深度AlGaN/GaN异质结的C-V特性,深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系.

关 键 词：增强型高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 槽栅 阈值电压 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]