郑鹏天

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：HEMT器件A1GAN/GAN成核双异质结载流子更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国防基础科研计划更多>>
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背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：4
《物理学报》2009年第5期3409-3415,共7页张进成 郑鹏天 董作典 段焕涛 倪金玉 张金凤 郝跃 
国防预研项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防基础科研项目(批准号:A1420060156)资助的课题~~
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了...
关键词：ALGAN/GAN 双异质结构 限域性 寄生沟道 晶体管 
GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：2
《物理学报》2009年第3期1959-1965,共7页张进城 董作典 秦雪雪 郑鹏天 刘林杰 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033;60676048)资助的课题~~
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载...
关键词：ALGAN/GAN异质结 GAN缓冲层 漏电 成核层 
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