刘林杰

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：GAN温度特性原子层淀积HEMT器件A1GAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光学精密工程》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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DC-55 GHz高性能焊球阵列封装用非垂直互连结构
《光学精密工程》2023年第3期363-370,共8页刘林杰 郝跃 周扬帆 王轲 乔志壮 
面向紫外探测应用的高性能4H-SiC雪崩光电二极管及探测器阵列基础研究项目(No.61974134)。
根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽...
关键词：无线通信 5G 高速 陶瓷基板 类同轴 预加重 
GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：2
《物理学报》2009年第3期1959-1965,共7页张进城 董作典 秦雪雪 郑鹏天 刘林杰 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033;60676048)资助的课题~~
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载...
关键词：ALGAN/GAN异质结 GAN缓冲层 漏电 成核层 
Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
《物理学报》2009年第1期536-540,共5页刘林杰 岳远征 张进城 马晓华 董作典 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60736033,60676048)资助的课题~~
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEM...
关键词：原子层淀积 ALGAN/GAN MOS-HEMT器件 温度特性 
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