云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 原子层淀积

原子层淀积: 作品数：26被引量：52H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张卫丁士进孙清清王鹏飞卢红亮更多>>; 相关机构：复旦大学西安电子科技大学北京大学皮考逊公司更多>>; 相关期刊：《淮北师范大学学报（自然科学版）》《半导体信息》《物理学报》《电子工业专用设备》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究: 《淮北师范大学学报（自然科学版）》2022年第4期60-64,共5页张远张永兴张金锋牟福生; 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(2019KF005);安徽省级“六卓越、一拔尖”卓越人才培养创新项目(2019zyrc054);安徽省高等学校自然科学研究项目(KJ2020A0029);物理学(师范)专业卓越教师培养创新项目(2020zyrc143);力学教学示范课(2020SJJXSFK2147)。; 文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂...; 关键词：Si掺杂 ZNO薄膜原子层淀积透光率光致发光

Micro-LED显示器量化生产关键技术被引量：2: 《电子工业专用设备》2021年第3期29-34,共6页蔡克新; 为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石衬底的GaN外延生长技术、芯片侧壁原子层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。通过显示产业材料、工艺...; 关键词：新型平板显示微缩化发光二极管有机化合物化学气相沉积原子层淀积晶圆键合

降低高k介质层微粒污染的工艺研究: 《微电子学》2019年第6期878-882,共5页强毅博明安杰陈彦伯何崇敏王玮冰; 国家自然科学基金资助项目(61874137); 随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变H...; 关键词：高k金属栅原子层淀积微粒污染

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）: 《湘潭大学学报（自然科学版）》2018年第4期115-120,共6页Brücken Erik Gadda Akiko Ott Jennifer Naaranoja Tiina Martikainen Laura Karadzhinova-Ferrer Aneliya Kalliokoski Matti Golovlova Maria Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine Ana Luukka Panja Harkonen Jaakko; Various types of semiconductor detectors,detector physics and modeling; 该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们...; 关键词：硅探测器碲化镉探测器 I-V、C-V 和TCT方法原子层淀积(ALD)法

基于原子层沉积的Al_2O_3薄膜微观形貌研究被引量：5: 《稀有金属材料与工程》2015年第12期3078-3082,共5页王琛英杨树明李常胜景蔚萱林启敬蒋庄德张易军; 国家自然科学基金资助(51175418;91323303);新世纪优秀人才支持计划(93JXDW02000006);"111"引智计划(B12016);长江学者和创新团队发展计划(IRT1033);中央高校基本科研业务费专项资金(xjj20100063;2011jdgz09;2011jdhz23;xjj2011068); 研究利用原子层沉积获得的小于10 nm Al_2O_3薄膜表面形貌特点。采用该技术获得4和8 nm的Al_2O_3薄膜,利用原子力扫描电镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对薄膜表面形貌进行测量,通过最小二乘法和多重分形研究薄膜表面形貌,分析得出利用原子层沉...; 关键词：原子层淀积 AL2O3 多重分形

阳极氧化铝的原子层淀积封孔研究: 《材料保护》2013年第S1期24-26,共3页杨忙计峰李超波夏洋刘邦武; 制备了多孔阳极氧化铝,利用原子层淀积技术对其封孔,借助场发射扫描电镜(SEM)分析了样品的表面及剖面形貌,对样品进行染色处理,利用酸性点滴试验测试样品抗腐蚀性能。结果表明:阳极氧化处理形成大孔径约为16 nm的多孔膜,多孔膜在循环50...; 关键词：阳极氧化铝原子层淀积封孔氧化铝

前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究: 《物理学报》2013年第3期367-373,共7页张旭杰刘红侠范小娇樊继斌; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助~~; 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到18...; 关键词：原子层淀积 ND2O3 前驱体温度 X射线光电子能谱仪

原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展被引量：1: 《半导体光电》2012年第3期307-313,360,共8页谢章熠谢立恒耿阳孙清清周鹏卢红亮张卫; 国家自然科学基金项目(51102048);复旦大学自主创新科研项目;复旦大学人才引进启动资金项目;ASIC与系统国家重点实验室面上项目(11MS017); 原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电...; 关键词：太阳电池原子层淀积薄膜生长

ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3: 《西安电子科技大学学报》2012年第2期164-167,共4页匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分...; 关键词：高K栅介质二氧化铪原子层淀积生长温度氧化层缺陷

快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响: 《材料研究学报》2012年第3期255-260,共6页陈红兵朱宝陈笋孙清清丁士进张卫; 国家自然科学基金61076076;02;国家科技重大专项2009ZX02302-002;新世纪优秀人才支持计划NCET-08-0127资助项目~~; 以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰...; 关键词：金属材料 Pt纳米颗粒原子层淀积快速热退火

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