卢红亮

作品数：6被引量：24H指数：2
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：铜互连原子层淀积扩散阻挡层纳米材料电镀铜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《功能材料》《无机材料学报》《物理学报》《化学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目中国博士后科学基金更多>>
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原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展被引量：1
《半导体光电》2012年第3期307-313,360,共8页谢章熠 谢立恒 耿阳 孙清清 周鹏 卢红亮 张卫 
国家自然科学基金项目(51102048);复旦大学自主创新科研项目;复旦大学人才引进启动资金项目;ASIC与系统国家重点实验室面上项目(11MS017)
原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电...
关键词：太阳电池 原子层淀积 薄膜生长 
ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
《化学学报》2006年第11期1133-1139,共7页任杰 陈玮 卢红亮 徐敏 张卫 
中国博士后科学基金(No.2004035450);上海市科委基金(No.04JC14013);河北科技大学科研基金资助项目.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反...
关键词：原子层淀积 密度泛函理论 高介电常数栅介质 氧化锆 
原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究被引量：16
《无机材料学报》2006年第5期1217-1222,共6页卢红亮 徐敏 丁士进 任杰 张卫 
国家自然科学基金(60176013);上海市科委重点项目(04JC04013)
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表...
关键词：AL2O3薄膜 原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS) 
Synthesis and Characterization of SiCOF/a-C∶F Double-Layer Films with Low Dielectric Constant for Copper Interconnects~*
《Journal of Semiconductors》2006年第3期429-433,共5页张卫 朱莲 孙清清 卢红亮 丁士进 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海先进材料研究发展基金(批准号:0304)资助项目~~
A novel double-layer film of SiCOF/a-C ： F with a low dielectric constant is deposited using a PECVD system. The chemical structure of the film is characterized with Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR）. ...
关键词：low dielectric constant material FTIR SIMS 
四角晶相HfO_2(001)表面原子和电子结构研究被引量：5
《物理学报》2006年第3期1374-1378,共5页卢红亮 徐敏 陈玮 任杰 丁士进 张卫 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市科委重点项目(批准号:04JC14013)资助的课题.~~
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表...
关键词：密度泛函理论 t-HfO2(001) 表面电子结构 
原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：2
《功能材料》2005年第6期809-812,816,共5页卢红亮 徐敏 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 
国家自然科学基金资助项目(60176013);上海市科委重点资助项目(04JC14013)
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基...
关键词：原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高K材料 
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