张剑云

作品数：19被引量：33H指数：3
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：化学气相淀积金刚石相图热力学金刚石薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《微细加工技术》《功能材料》《无机材料学报》更多>>
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一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1808-1812,共5页张剑云 李建 郭亚炜 沈泊 张卫 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市AM基金(批准号:0304)资助项目~~
提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.
关键词：开关电容电路 导通电阻 MOS开关 栅增压电路 
原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：2
《功能材料》2005年第6期809-812,816,共5页卢红亮 徐敏 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 
国家自然科学基金资助项目(60176013);上海市科委重点资助项目(04JC14013)
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基...
关键词：原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高K材料 
低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2001年第4期477-482,共6页王鹏飞 丁士进 张卫 张剑云 王季陶 李伟 
国家自然科学基金资助项目 (6 9776 0 2 6 )
用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分...
关键词：红外光谱 介电常数 含氟氧化硅薄膜 
非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性被引量：4
《材料研究学报》2001年第2期201-204,共4页丁士进 王鹏飞 张剑云 张卫 王季陶 张冶文 夏钟福 
国家自然科学基金资助项目69776026
以Ｔｅｆｌｏｎ ＡＦ １６００为原料，用旋涂法制备了非晶含氟聚合物（ＡＦ）薄膜．通过扫描电镜（ＳＥＭ）、傅立叶转换红外（ＦＴＩＲ）光谱和Ｘ射线光电子（ＸＰＳ）光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征所得薄膜具有无针孔，较...
关键词：旋涂法 热稳定性 非晶含氟聚合物薄膜 退火 热处理 
CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析被引量：2
《功能材料》2001年第2期217-219,共3页张剑云 王鹏飞 丁士进 张卫 王季陶 刘志杰 
"863"高技术基金!(863-715-010-0050);国家自然科学基金!(59772029);教育部专项基金;科技部基础
用非平衡热力学耦合模型计算了ＣＶＤ金刚石薄膜生长过程中Ｃ１Ｈ２与ＣＨ３浓度之比［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］随衬底温度和ＣＨ４浓度的变化关系，从理论上探讨了金刚石薄膜（１１１）面和（１００）面取向生长与淀积条件的关系。在衬...
关键词：化学气相淀积 金刚石薄膜 热力学 CVD 
超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究被引量：3
《半导体技术》2001年第1期37-39,共3页王鹏飞 丁士进 张卫 张剑云 王季陶 
国家自然科学基金(69776026)
详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟...
关键词：化学汽相淀积 C-V特性 介电常数 
用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜被引量：6
《微电子学》2000年第5期347-350,共4页王鹏飞 丁士进 张卫 张剑云 王季陶 
国家自然科学基金资助!(项目编号 :6 9776 0 2 6 )
用 PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜 ,Si F4 的流量达到 60 sccm时 ,薄膜的相对介电常数可以降低到 3.2。对试样的 FTIR分析表明 ,薄膜中大部分的氟以 Si- F键形式存在。C- V特性测试表明 ,薄膜介电常数随氟含量的增加而减...
关键词：化学气相淀积 掺氟氧化硅 低介电常数薄膜 
C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析被引量：1
《微细加工技术》2000年第3期75-78,共4页张剑云 王鹏飞 丁士进 张卫 王季陶 刘志杰 
"8 6 3"高技术基金!(86 3 715 0 10 0 0 50 );国家自然科学基金!(59772 0 2 9);教育部专项基金;科技部基础科技基金的支持
化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓...
关键词：化学气相淀积 金刚石薄膜 热力学 取向生长 
低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究被引量：11
《功能材料》2000年第5期452-455,共4页丁士进 张卫 王鹏飞 张剑云 刘志杰 王季陶 
国家自然科学基金
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电...
关键词：低介电常数 硅薄膜 集成电路 氧化硅 漏电流 台阶 覆盖度 热性质 特性 研究 
含氟气相体系低压生长金刚石的相图计算
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第4期378-380,共3页刘志杰 张卫 张剑云 丁士进 王季陶 
国家自然科学基金(批准号:59772029);"八六三"高技术基金(863-715-010-0050)
根据非平衡热力学耦合模型计算得到了C—H—F体系金刚石生长相图,该相图与根据经典平衡热力学计算得到的平衡相图不同,存在金刚石生长区,可以很好地解释在低压C—H—F体系中可以生长金刚石,并与实验结果符合良好。因而对该体系金刚石制...
关键词：金刚石 气相生长 薄膜 含氟气相体系 低压 相图 
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