检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张剑云[1] 李建[1] 郭亚炜[1] 沈泊[1] 张卫[1]
机构地区:[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433
出 处:《Journal of Semiconductors》2005年第9期1808-1812,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市AM基金(批准号:0304)资助项目~~
摘 要:提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.This paper proposes a bootstrapped circuit to decrease the on-resistance independent of input signal dependence and bulk effect. Currently, the circuit can choke back the charge distortion between the path of precharge capacitor and gate terminal of signal switch. By HSPICE simulation with 0.13μm 1.2V/2. 5V CMOS process, this circuit is proved to be suitable for the switched capacitor circuit.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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