超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究  

Research on low dielectric constant SiOF films for ULSI

作　　者：王鹏飞[1] 丁士进[1] 张卫[1] 张剑云[1] 王季陶[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系CVD研究室,上海200433

出　　处：《半导体技术》2001年第1期37-39,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金(69776026)

摘　　要：详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。The manufacturing process is discussed in details. From the FTIR analysis, we find that most F are incorporated in the films as Si-F bonds. The dielectric constant and refractive index decrease with Si-F percentage of the film increasing. The relation between F concentration and dielectric constant are also discussed in this paper.

关 键 词：化学汽相淀积 C-V特性 介电常数 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] O484.4[理学—固体物理]