含氟气相体系低压生长金刚石的相图计算  

作　　者：刘志杰[1] 张卫[1] 张剑云[1] 丁士进[1] 王季陶[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系CVD研究室,上海200433

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第4期378-380,共3页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59772029);"八六三"高技术基金(863-715-010-0050)

摘　　要：根据非平衡热力学耦合模型计算得到了C—H—F体系金刚石生长相图,该相图与根据经典平衡热力学计算得到的平衡相图不同,存在金刚石生长区,可以很好地解释在低压C—H—F体系中可以生长金刚石,并与实验结果符合良好。因而对该体系金刚石制备的实验条件选取有指导作用.

关 键 词：金刚石 气相生长 薄膜 含氟气相体系 低压 相图 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TQ164.8[理学—物理]