低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究  

Investigation of Low Dielectric Constant SiOF Films

作　　者：丁士进[1] 张卫[1] 王鹏飞[1] 张剑云[1] 刘志杰[1] 王季陶[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系CVD研究室,上海200433

出　　处：《功能材料》2000年第5期452-455,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。TheprogressofstudyonlowdielectricconstantSiOFfilmsinthepasttenyearswasreviewed .Inthecaseofchemicalbondingstructures ,thermalproperties ,moisturestabilityandrelativedielectricconstant ,thecharacteristicsofSiOFfilmswereintroducedindetails ,meanwhile ,otherpropertiessuchasstepcoverage ,fillinggapabilityandleakagecurrentwerealsointroducedsimply .ItwasconcludedthatSiOFfilmswerethemostpromisinglowdielectricconstantmaterialwhichwouldbeusedinULSIcircuit .

关 键 词：低介电常数 硅薄膜 集成电路 氧化硅 漏电流 台阶 覆盖度 热性质 特性 研究 

分 类 号：TH137.51[机械工程—机械制造及自动化] TN304[电子电信—物理电子学]