云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 双异质结构

双异质结构: 作品数：17被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王翠梅王晓亮刘建林肖红领张进成更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院日立电线株式会社信越半导体株式会社更多>>; 相关期刊：《光学学报》《科学技术与工程》《半导体光电》《红外》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国防基础科研计划福建省自然科学基金更多>>

AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构双极特性的研究: 《北华航天工业学院学报》2024年第4期5-8,共4页韩铁成彭晓灿; 北华航天工业学院博士基金项目(BKY-2021-16)。; 通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层...; 关键词：AlGaN/GaN/AlGaN 二维电子气 AlGaN缓冲层二维空穴气

利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点: 《大学物理》2022年第5期69-73,共5页范千千徐坤熠符斯列; 国家自然科学基金(10575039);广东省自然科学基金(S2013010012548);广东省高校特色创新项目(2018KTSCX121)资助; 本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极管进行温度控制,得到不同温度下的C-V曲线及其对应的杂质浓度分布曲线,分析温度对...; 关键词：C-V法 GaN基蓝光二极管双异质结构

GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展(英文): 《电子工业专用设备》2013年第2期17-20,64,共5页S.I.Petrov A.N.Alexeev D.M.Krasovitsky V.P.Chaly; 有关结果表明,在氨分子束外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体管)通道获得高品质GaN(氮化镓)层的关键步骤。缓冲层从包含AlN(氮化铝)、AlGaN/AlN(氮化铝镓/氮化铝)超晶...; 关键词：分子束外延(MBE)系统氮化铝(AIN) 氮化镓(GaN) 三族氮化物双异质结构场效应晶体管(DHFET)

多结叠层太阳电池中隧穿结的性能优化被引量：2: 《河北大学学报（自然科学版）》2011年第4期356-361,共6页丁文革李文博苑静于威傅广生; 国家自然科学基金资助项目(60940020); 提高太阳电池的转换效率是人类利用和发展太阳能技术的主要追求目标,目前有望大幅度提高转换效率的一个最直接手段就是采用多结叠层太阳电池.开发研制电学和光学损耗极小的隧穿结,是提高多结叠层太阳电池性能的有效途径.从材料、掺杂剂...; 关键词：隧穿结多结叠层太阳电池掺杂双异质结构纳米颗粒

Research of high speed optical switch based on compound semiconductor被引量：4: 《Chinese Science Bulletin》2009年第20期3679-3684,共6页WANG MingHua QI Wei YU Hui JIANG XiaoQing YANG JianYi; Supported by the Key Fund of National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60436020); High-speed optical switch and its array are the crucial components of all-optical switching system.This paper presents the analytical model of a total-internal-reflection(TIR) optical switch.By employing the carrier i...; 关键词：光开关化合物半导体 ALGAAS 公路货运载流子注入双异质结构关键部件交换系统

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：4: 《物理学报》2009年第5期3409-3415,共7页张进成郑鹏天董作典段焕涛倪金玉张金凤郝跃; 国防预研项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防基础科研项目(批准号:A1420060156)资助的课题~~; 首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了...; 关键词：ALGAN/GAN 双异质结构限域性寄生沟道晶体管

发光二极管: 《中国照明电器光源灯具文摘》2007年第2期55-56,共2页; 被动波导发光二极管【专利】／何晓光//CN1567601A。一种可提高发光亮度及色纯度的被动波导发光二极管，其特征在于包含有：一个具有第一导电性的半导体基板；一个形成于该基板上的第一导电性载流子注入限制层：若干个具有高折射率的被...; 关键词：发光二极管载流子注入多量子阱结构光波导双异质结构导电性发光亮度高折射率

AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟被引量：1: 《科学技术与工程》2006年第23期4682-4684,4694,共4页刘芳王涛姚建铨; 由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因,并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN/InGaN/...; 关键词：二维电子气导带差极化自洽求解

非深冷型量子红外探测器的优化、设计和制造: 《红外》2005年第7期38-42,共5页顾聚兴; 本文提出了对中红外双异质结构光伏探测器的探测率优化研究。本文把关于暗电流的简单近似分析表达式同全数字计算作了比较,并阐述了对支配暗电流的物理机制的认识。从简单的p-n结到完整的双异质结构,分析工作是逐步进行的。分析内容包...; 关键词：非深冷型量子红外探测器优化设计制造工艺双异质结构

光波导材料与制备: 《中国光学》2002年第4期48-49,共2页; TN252 2002042742由 W_0.95Ni_0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性=Thermal stability of photoelastic waveguidestructures induced by W_0.95Ni_0.05metal thin films[刊,中]/邢启江,...; 关键词：光弹波导结构热稳定性双异质结构半导体制备物理系质子交换直流负偏压金属薄膜国家重点实验室

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