载流子注入

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溶液法钾溴电解质界面修饰实现高效准二维钙钛矿发光二极管
《吉林师范大学学报(自然科学版)》2025年第2期48-54,共7页董贺 王钟艺 陈宏岩 覃潇 柴源 江海鹏 华杰 
吉林省科技发展计划项目(20220101041JC,20220101125JC);吉林省教育厅科学研究项目(JJKH20240571KJ);国家自然科学基金项目(12273079)。
溶液处理法制备的准二维钙钛矿发光二极管(PeLEDs)具有非常好的商业前景与应用潜力,但界面缺陷和载流子注入不平衡仍然是影响其性能的主要因素.本文采用钾离子电解质KBr对钙钛矿层进行化学掺杂处理,探究钾溴电解质对薄膜结晶、界面特性...
关键词：钙钛矿发光二极管 界面修饰 载流子注入 缺陷钝化 
薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾 单书珊 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 
国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...
关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应 
基于内场发射原理的无载流子注入型量子点发光器件光电研究
《真空科学与技术学报》2024年第9期785-790,共6页谢彪 吴朝兴 郭太良 
国家重点研发计划项目(2021YFB3600400)。
工作于无载流子注入工作模式下的量子点电致发光器件因其简单的结构而受到关注。由于没有外部载流子参与电致发光,揭示该器件稳定工作时所需载流子的来源对于理解器件工作机理、优化器件结构具有重要价值。文章研究了多层量子点薄膜在...
关键词：电致发光 量子点 能量势垒 无载流子注入 
LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
《电子学报》2024年第5期1582-1590,共9页邵红 李永顺 宋亮 金华俊 张森 
为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性 
单端注入型LED的光电特性与灰度调制技术研究
《电子元件与材料》2024年第5期521-527,共7页林珊玲 卢杰 吴朝兴 林志贤 郭太良 
国家自然科学基金青年基金(62101132);国家重点研发计划(2022YFB3603705);国家重点研发计划(2021YFB3600603)。
Micro-LED拥有出色的亮度、高发光效率、低能耗、高反应速度、超高解析度与色彩饱和度等优势,且具备自发光和感测能力,是一项十分理想的显示技术。传统的直流灰度调控方法不再适用于驱动单端载流子注入结构的交流型LED,本文根据单端注入...
关键词：LED 单端载流子注入 灰度调制 交流电 光电性能 
纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
《物理学进展》2024年第2期96-101,共6页马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(12274232,12104232)的资助
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些...
关键词：CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱 
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究
《微电子学》2023年第5期910-916,共7页刘先婷 刘伟景 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环...
关键词：无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入 
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