C-V法

作品数：14被引量：43H指数：4
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利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点
《大学物理》2022年第5期69-73,共5页范千千 徐坤熠 符斯列 
国家自然科学基金(10575039);广东省自然科学基金(S2013010012548);广东省高校特色创新项目(2018KTSCX121)资助
本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极管进行温度控制,得到不同温度下的C-V曲线及其对应的杂质浓度分布曲线,分析温度对...
关键词：C-V法 GaN基蓝光二极管 双异质结构 
利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
《物理实验》2020年第5期1-5,共5页郑晓思 符斯列 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548);广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)。
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,...
关键词：C-V测量法 GAN基蓝光LED 多量子阱 
C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响被引量：3
《发光学报》2018年第10期1417-1424,共8页王春安 符斯列 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 
国家自然科学基金(10575039);广东省自然科学基金(S2013010012548)资助项目~~
采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范...
关键词：GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系 
C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性被引量：4
《物理实验》2017年第5期1-6,共6页符斯列 王春安 蒋联娇 秦盈星 吴先球 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548)
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的...
关键词：C-V法 GaN基蓝光二极管 PN结特性 杂质浓度分布 
准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理被引量：3
《半导体技术》2007年第7期577-580,共4页钱敏 刘蓓 辛煜 
表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该...
关键词：C-V测试 表面态分布 数据处理 数值积分 
C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用被引量：14
《红外》2006年第10期5-10,共6页何波 史衍丽 徐静 
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性...
关键词：C—V测量法 杂质浓度分布 PN结 势垒电容 离子注入 
基于区域划分和改进C-V法的医学图像分割方法被引量：7
《东南大学学报（自然科学版）》2006年第5期863-868,共6页徐旦华 鲍旭东 舒华忠 
提出了基于图像区域划分和改进C-V法的活动轮廓图像分割方法.通过区域划分的方法将整幅图像的分割问题转化为在不同的子区域上分别进行的图像分割问题,并在各子区域中采用改进C-V法进行图像分割.改进的C-V方法在简化Mum ford-Shah泛函...
关键词：医学图像分割 活动轮廓 水平集方法 MUMFORD-SHAH模型 图像处理 
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度被引量：8
《物理学报》2006年第6期2992-2996,共5页郜锦侠 张义门 汤晓燕 张玉明 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:A50103250091)资助的课题~~
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差....
关键词：C-V法 SIC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度 
用C-V法观察介质-半导体界面的电荷存储效应被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》1997年第6期16-19,共4页费庆宇 
用SiNX作钝化层的InGaAs／InP光电二极管和N沟道GaAsMESFET的高频特性和电性能稳定性问题与SiNx-半导体界面的电荷存储效应有密切关系。本工作用高频C－V法观察到SiNx－InP界面电行存储效应，从而加深了SiNX钝化层引起的器件最高工作频...
关键词：C-V法 半导体 介质半导体界面 电荷存储效应 
C—V法液晶弹性常数的测定被引量：6
《液晶通讯》1993年第1期73-78,共6页温庆祥 黄锡珉 何林 于跃春 张传萍 
本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用STN—0020/01SBE液晶材料在不同温度条件下测定了弹性常数K_(11)～14.9×10^(-12)N.K_(33)～15.3×10^(-2)...
关键词：液晶 弹性常数 测定 C-V法 
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