GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响  

Influence of GaN Buffer Layer for InN Growth

作　　者：刘斌[1] 张荣[1] 谢自力[1] 修向前[1] 李亮[1] 刘成祥[1] 韩平[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期101-104,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311080,2003AA311060,2001AA311110),国家自然科学基金(批准号:60476030,60390070,60136020),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003)和江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助

摘　　要：采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质.通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.

关 键 词：六方相InN MOCVD GAN缓冲层 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]