GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜  

Study on AlN Film Grown on GaN Buffer Layer at Low Temperature

作　　者：秦福文[1] 顾彪[1] 徐茵[1] 杨大智[2] 

机构地区：[1]大连理工大学电气工程与应用电子技术系,辽宁大连116024 [2]大连理工大学材料科学与工程系,辽宁大连116024

出　　处：《半导体光电》2003年第1期32-36,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69976008)

摘　　要：　采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜。AlN film has been grown on αAl2O3 (0001) substrate by ECRPAMOCVD technique at low temperature using TMAl and highly pure N2 as Al and N sources, respectively. The effects of GaN buffer layer and AlN buffer layer on the quality of AlN epilayer have been investigated through the measurement of RHEED, TEM and XRD. The result shows that C axis oriented AlN single crystal film can be grown on GaN buffer layer at low temperature.

关 键 词：低温生长 AIN GAN 氢等离子体清洗 ECR-PEMOCVD 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]