刘红兵

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：东华理工大学核工程与地球物理学院更多>>
发文主题：INPXGAGAASPLP-MOCVD更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《光电子．激光》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
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基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延被引量：1
《光电子．激光》2009年第7期893-896,共4页刘红兵 王琦 任晓敏 黄永清 
国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416;2007AA03Z418);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-05-0111);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005);教育部"长江学者和创新团队发展计划"资助项目(IRT0609)
采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延...
关键词：InP/GaAs异质外延 低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD) InxGa1-xP 组分渐变缓冲层 
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