ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究  

The Study of GaN growth process using RHEED by ECR-PEMOCVD

作　　者：郎佳红[1] 顾彪[1] 徐茵[1] 秦福文[1] 曲钢[1] 

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

出　　处：《应用激光》2004年第1期31-35,共5页Applied Laser

基　　金：国家自然科学基金 (6 9976 0 0 8); 86 3计划 (86 3- 715 - 0 11- 0 0 33)资助项目

摘　　要：通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN生长过程进行原位监测。通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长。The reflection high-energy electron diffraction (RHEED) mounted in the electron-cyclotron-resonance plasma-enhanced metal organic chemical vapor deposition (ECR-PEMOCVD) system designed by us was used to monitor the GaN growth process in-situ. By study of the RHEED images to optimize the condition parameters of substrate cleaning?substrate nitridation?buffer layer growth ?epitaxy layer growth.

关 键 词：ECR-PEMOCVD 反射高能电子衍射仪 GAN 外延层生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]