第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用  

作　　者：王军喜[1] 刘喆[1] 魏同波[1] 王国宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《新材料产业》2014年第3期18-20,共3页Advanced Materials Industry

摘　　要：一．第3代半导体材料概述 第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后，近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和氮化铝（AlN）等宽禁带化合物半导体为代表，其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，在光电子领域和微电子领域相比前2代半导体更具优势。

关 键 词：宽禁带半导体材料 第3代 光电器件 抗辐射能力 微电子领域 应用 化合物半导体 大功率器件 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]