Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能  

Preparation and Properties of AlGaN/AlN/GaN HEMTs with Compositionally Step-Graded AlGaN Barrier Layer

作　　者：马志勇[1] 王晓亮[1] 胡国新[1] 肖红领[1] 王翠梅[1] 冉军学[1] 李建平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期394-397,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)以及国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目

摘　　要：用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.

关 键 词：ALGAN/ALN/GAN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]