殷海波

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:金属有机物托盘MOCVD温度均匀性流场更多>>
发文领域:电子电信文化科学理学电气工程更多>>
发文期刊:《半导体技术》更多>>
所获基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化被引量:2
《半导体技术》2008年第S1期123-126,共4页殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究(2006CB604905;613270805);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A141);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上...
关键词:GAN MOCVD 数值模拟 流场 沉积速率 几何结构 
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